獲得不同組分的納米材料是納米研究的關(guān)鍵，利用VSP-G1配合不同的電極可以產(chǎn)生雙金屬、納米合金或在塊狀狀態(tài)下不混溶的材料等粒子。火花燒蝕可以在放電通道產(chǎn)生高達20000K的瞬時高溫，足以克服塊體材料的宏觀不溶性，產(chǎn)生更多的材料可能性。混合兩個純電極或使用合金電極可以通過成分控制調(diào)整材料組分。類似地，通過并聯(lián)或串聯(lián)運行兩個 VSP-G1，每個 VSP-G1 使用不同的電極材料，最終產(chǎn)生分層結(jié)構(gòu)的材料（例如，分層結(jié)構(gòu)、核-殼或異質(zhì)結(jié)構(gòu)）
VSP-G1 最有價值的一點是能夠調(diào)整所生產(chǎn)納米粒子的平均粒徑。這是通過改變氣體流速來實現(xiàn)的，當然這會影響納米顆粒在反應器內(nèi)的停留時間。 較低的流速通過為初級顆粒提供更多的時間來凝并，從而導致較大的平均粒徑，而較快的流速可產(chǎn)生較小的顆粒。根據(jù)準備的樣品類型（例如 TEM 網(wǎng)格或多孔涂層），還可以調(diào)整總功率以改變產(chǎn)率。更高的電壓/電流組合帶來更高的燒蝕率和更大的顆粒。 氣溶膠技術(shù)區(qū)別與其它真空氣相技術(shù)的最大特點便是在常壓下利用氣體有效影響納米顆粒的生長與傳輸過程。
采用模塊化設計，VSP-G1 納米粒子發(fā)生器可輕松與沉積裝置結(jié)合使用，以制備先進的納米材料。基于擴散、過濾或沖擊技術(shù)，有不同的沉積模塊可用。
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